特許
J-GLOBAL ID：200903028008370700

半導体装置

発明者：
曽根 弘樹

曽根 弘樹 について

, 
山田 明

山田 明 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-323064
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147119
出願日： 2007年12月14日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】dv/dtサージにより、支持基板と活性層との間の絶縁膜にて構成される寄生容量を充放電する変位電流が発生することを抑制し、回路の誤動作を防止する。【解決手段】低電位基準回路部LVの下と高電位基準回路部HVの下にのみ支持基板2を残す。これにより、支持基板2のうち低電位基準回路部LVの下の部分と高電位基準回路部HVの下の部分とが絶縁部材30にて絶縁された状態となる。このため、埋込酸化膜3のうち高電位基準回路部HVと支持基板2との間に配置される部分にて構成される寄生容量と低電位基準回路部LVと支持基板2との間に配置される部分にて構成される寄生容量が電気的に遮断される。したがって、寄生容量を充放電する変位電流の発生を抑制することができ、回路を誤動作させてしまわないようにできる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層(1)と支持基板(2)とが埋込絶縁膜(3)を介して貼り合わされたSOI基板(4)を有し、 前記SOI基板(4)における前記活性層(1)に、第1の電位を基準電位として動作する低電位基準回路部(LV)と、前記第1の電位よりも高電位な第2の電位を基準電位として動作する高電位基準回路部(HV)と、前記低電位基準回路部(LV)と前記高電位基準回路部(HV)との間での基準電位のレベルシフトを行うためのレベルシフト素子(20)が備えられたレベルシフト素子形成部(LS)とが形成されてなる半導体装置において、 前記支持基板(2)は、前記低電位基準回路部(LV)と対応する場所と前記高電位基準回路部(HV)と対応する場所に備えられ、これら前記低電位基準回路部(LV)と対応する場所と前記高電位基準回路部(HV)と対応する場所に備えられた前記支持基板(2)の間が絶縁部材(3)にて絶縁されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (12件)：
H01L29/78 613Z ,  H01L27/08 331C ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 F ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/04 A ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/78 621 ,  H01L29/78 626C
Fターム (60件)：
5F032AA06 ,  5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032BA01 ,  5F032BA05 ,  5F032BA08 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA20 ,  5F032CA24 ,  5F032CA25 ,  5F032DA71 ,  5F038BE07 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA09 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB07 ,  5F048AB08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC07 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F110AA21 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HM12 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-197097   出願人：株式会社デンソー

前のページに戻る

TOP

BOTTOM