特許
J-GLOBAL ID:200903028010488629

シリコン薄膜の形成方法及びインクジェットヘッドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-081161
公開番号(公開出願番号):特開平11-283929
出願日: 1998年03月27日
公開日(公表日): 1999年10月15日
要約:
【要約】【課題】 シリコン薄膜の形成方法において縦型炉で固体拡散を行う場合、処理台に載せたドープ板が変形し、拡散の均一性に影響したり、ドープ板自体も使用できなくなるという問題があった。一方、平面上の支持台をドープ板の下部に設ける場合でも支持台の材質にシリコンを使用するとドープ板と支持台が密着してしまい、ドープ板,支持台が変形,破損してしまうという問題もあった。【解決手段】 本発明によるシリコン薄膜の形成方法では、縦型炉を用いて熱拡散を行うに際してB又はPが含まれたドープ板16の下に支持台17を設け、支持台17の材質にはシリコンカーバイドを用いる。一方、Si又はSiO2でできた支持台17の上に材質がSi又はSiO2でできた複数の突起部20をつけることによってドープ板16を浮かせた。これら前記のいずれかの方法によって一定の拡散条件下で処理を行う。
請求項(抜粋):
マイクロマシンに用いるシリコン薄膜の形成方法において、熱拡散を行う炉装置として縦型炉を用いたことと、拡散剤としてB又はPが含まれたドープ板を使用したこと、そして支持台を設けたことを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/223 ,  B41J 2/16 ,  H01L 21/22 511
FI (3件):
H01L 21/223 X ,  H01L 21/22 511 G ,  B41J 3/04 103 H
引用特許:
審査官引用 (4件)
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