特許
J-GLOBAL ID：200903028014954500

半導体装置およびその製造方法

発明者：
井上 啓司

井上 啓司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-036898
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220742
出願日： 2006年02月14日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】エアギャップ構造において酸化に起因する配線信頼性劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、基板1上に形成された第1配線5と、第1配線5の上層に形成され、第1配線5との間にエアギャップ20を介在させて配置された第2配線16と、エアギャップ20内に形成され、第1配線5と第2配線16とを接続するカーボンナノチューブ11とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1配線と、 前記第1配線の上層に形成され、前記第1配線との間にエアギャップを介在させて配置された第2配線と、 前記エアギャップ内に形成され、前記第1配線と前記第2配線とを接続するカーボンナノチューブと を有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/522 ,  H01L 21/768
FI (1件)：
H01L21/90 B
Fターム (41件)：
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK31 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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