特許

J-GLOBAL ID：200903031010902620

エアーギャップを選択的に形成する方法及び当該方法により作製された装置

発明者： ジャン・ポール・ゲノー・ドゥ・ミュシー ,  ゲラルト・バイヤー ,  カレン・メックス
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-287734
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175435
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】狭く離間された近接する金属ライン間に選択的にエアーギャップを形成する。【解決手段】犠牲層3と、ライナー層2とからなる積層体を形成する。積層体に配線溝を形成する。ライナー層2の配線溝に臨む部分を酸素含有プラズマにより酸化し局所酸化部7を形成する。配線溝にバリア層とCu配線層を形成する。局所酸化部7を蒸気HFでエッチングし、更に、犠牲層3をエッチングして、犠牲層3とバリア層の界面近傍にエアーギャップ4を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体装置内にエアーギャップを形成する方法であって、 該半導体装置は積層体を有し、該積層体はサブ積層体を少なくとも1回繰り返したものを含み、該サブ積層体は、ライナー材料からなるライナー層と、犠牲層材料からなる犠牲層とを有する方法において、 上記ライナー材料は、第1エッチング物質に対して耐性があり、 上記第1エッチング物質は、上記犠牲層材料をエッチングすることができ、 上記方法は、 a)第2エッチング物質で上記積層体にホールをドライエッチング形成する工程と、 b)局所的にライナー層(2)の特性を化学的に変化させ、これにより、上記ライナー層(2)の一部が局所的に変換され、第1エッチング物質によりエッチング可能とする工程と、 c)伝導性材料からなり、バリアー層により犠牲層から離間されている場合もあるライン(1)を上記ホールに形成する工程と、を有し、 上記ライン(1)、及びバリアー層が存在する場合はバリアー層は、第1エッチング物質に対して耐性を有し、 上記方法は、さらに d)上記積層体に第1エッチング物質をさらし、それによりエアーギャップが上記ラインの近傍に形成される工程を有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  B81C1/00

FI (2件)：

H01L21/90 N ,  B81C1/00

Fターム (46件)：

5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP00 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP14 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR30 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV13 ,  5F033WW01 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,268,261号
  
• 米国特許第6,599,814号
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-361936   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-247971   出願人：松下電器産業株式会社