特許

J-GLOBAL ID：200903028038498999

半導体バイオセンサ

発明者： ゲールハルト アブストライター ,  マルク トルノブ ,  カリン ブハホルツ ,  セバスティアン ルバー ,  エーリヒ サックマン ,  アンドレアス バウシュ ,  ミヒャエル ニコライデス ,  シュテファン ラウシェンバハ
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 篤 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135598
公開番号（公開出願番号）：特開2003-329638
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】 感応性ナノ構造デバイスの電気的応答を使用して、タンパク質あるいはその他の生体分子の選択的な認識や検出を直接的に行うことのできる半導体バイオセンサを提供すること。【解決手段】 リソグラフィー法に基づくシリコン加工技術によってシリコン-オン-インシュレータ(SOI)基板から加工された電界効果トランジスタ(FET)を備えるとともに、前記トランジスタの構造体において、埋め込みSiO2(BOX)層によってバルクSiから分離されたトップSi層内の表面近傍導電性薄膜に導電性が限定されており、かつ前記FETが感応性表面によって被覆されているように構成する。

請求項（抜粋）：

ターゲットの分子やそれらの分子の相互作用を検出するためのものであって、リソグラフィー法に基づくサブミクロンのシリコン(Si)加工技術によってシリコン-オン-インシュレータ基板から加工された電界効果トランジスタ(FET)を備えるとともに、前記トランジスタの構造体において、埋め込みSiO2層によってバルクSiから分離されたトップSi層内の表面近傍導電性薄膜に導電性が限定されており、かつ前記FETが感応性表面によって被覆されていることを特徴とする半導体バイオセンサ。

FI (3件)：

G01N 27/30 301 N ,  G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 Y

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 国際出願公開公報、WO00/51180
  
• ドイツ特許出願公開公報、DE10006760A1
  

審査官引用 (3件)

• 半導体イオンセンサ及びその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227701   出願人：富士通株式会社
• トランジスタによる分子検出装置および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-537156   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• バイオセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101309   出願人：セイコーエプソン株式会社