p型GaN系半導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162473
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032113
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】クラック等の発生を抑制して不良率を低減し得、かつ製造工程を簡略化してコストを低減し得るp型GaN系半導体の製造方法を提供すること。【構成】本発明のp型GaN系半導体の製造方法は、p型不純物をドープしたGaN系半導体を成長させた後、望ましくは不活性ガス雰囲気下で、自然冷却よりも遅い速度で冷却することを特徴とするものである。【効果】半導体成長後に後処理的な熱処理が不要であり、また半導体を徐々に冷却するため該半導体層におけるクラック等の発生が抑制される。

請求項（抜粋）：