特許

J-GLOBAL ID：200903028104567522

半導体基板への薄膜形成方法

発明者： 今関 暢哉 ,  小田 正明 ,  中山 泉
出願人/特許権者： 真空冶金株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255513
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134891
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 アスペクト比の大きいコンタクトホールやビアホールを有する半導体基板に対して、欠陥のない薄膜を低コストで形成させ得る方法を提供すること。【解決手段】 粒子径0.01μmの金超微粒子をα-テルピネオールに均一に分散させた金超微粒子分散液をアスペクト比2のビアホール23が形成されているシリコン基板21に対してスピンコータで適用した後、温度300°Cに加熱してα-テルピネオールを蒸発させ金の超微粒子を融着させることによりビアホール23を金で埋め込み、表面に金の薄膜25を形成させる。

請求項（抜粋）：

粒径0.001〜0.1μmの金属超微粒子を有機分散媒中に均一に分散させた金属超微粒子分散液を、アスペクト比1〜100のコンタクトホールやビアホール、ないしは断面の深さと幅との比が同等な溝などの微細な凹部を有する半導体基板へ適用し、加熱して前記有機分散媒を蒸発させ前記金属超微粒子を融着させることによって、前記微細な凹部を前記金属で埋め込み、かつ前記半導体基板の表面を前記金属の平坦な薄膜で覆うことを特徴とする半導体基板への薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/288 ,  C23C 24/08 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/288 Z ,  C23C 24/08 B ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-030431
  
• 埋め込みプラグの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-129447   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-100999   出願人：沖電気工業株式会社