特許

J-GLOBAL ID：200903028128571717

光実装基板及びそれを用いた光モジュール

発明者： 岸田 裕司
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050821
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 簡便な方法でSi基板の漏れコンダクタンス、誘電正接の影響を極力抑制し、光実装基板の広帯域化をはかる光実装基板及び光モジュールを提供すること。【解決手段】 光半導体素子2配設させる基板1が240Ω・cm以上の抵抗率を有する単結晶シリコンから成るとともに、光半導体素子2に接続させる配線パターン4が基板1の表面に形成された厚さ10μm以下の誘電体層50上に設けられていることを特徴とする光実装基板とし、この光実装基板上に配線パターン4に接続した光半導体素子2を配設するとともに、配線パターン4に基本周波数10GHz以下の矩形波を伝送するようにしたことを特徴とする光モジュールとする。

請求項（抜粋）：

光半導体素子を配設させる基板が240Ω・cm以上の抵抗率を有する単結晶シリコンから成るとともに、前記光半導体素子に接続させる配線パターンが前記基板の表面に形成された厚さ10μm以下の誘電体層上に設けられていることを特徴とする光実装基板。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0232

FI (3件)：

H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/02 D

Fターム (20件)：

2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA04 ,  2H037DA12 ,  5F073AB13 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA27 ,  5F073HA12 ,  5F088BA02 ,  5F088BB01 ,  5F088EA09 ,  5F088EA16 ,  5F088JA03 ,  5F088JA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-278437   出願人：京セラ株式会社
• 光・電子装置/マイクロ波回路用の基体システム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-526998   出願人：エイチイー・ホールディングス・インコーポレーテッド・ディービーエー・ヒューズ・エレクトロニクス