特許
J-GLOBAL ID：200903010277373115

光半導体装置

発明者：
岸田 裕司

岸田 裕司 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278437
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114641
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 基板上に配設する光半導体素子の実装構造において、基板の誘電正接の影響を極力抑制し、また、等価誘電率が極力低くかつインピーダンス整合した伝送線路を用いた実装構造を有する光半導体装置を提供すること。【解決手段】 基板1上に該基板1より誘電正接の小さな誘電体層5を形成し、該誘電体層5上に接地電極43及びマイクロ波信号入力用の線状電極41を並設し、該線状電極41上に光半導体素子2を配設して成る光半導体装置H1とする。
請求項（抜粋）：
基板上に該基板より誘電正接の小さな誘電体層を形成し、該誘電体層上に接地電極及びマイクロ波信号入力用の線状電極を並設し、該線状電極上に光半導体素子を配設して成る光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02
FI (2件)：
H01S 3/18 612 ,  H04B 9/00 W
Fターム (13件)：
5F073BA01 ,  5F073FA06 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15 ,  5F073FA23 ,  5F073FA27 ,  5F073FA28 ,  5K002BA07 ,  5K002BA31 ,  5K002CA03 ,  5K002CA17 ,  5K002FA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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