特許
J-GLOBAL ID:200903028136208834

ガス処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-211849
公開番号(公開出願番号):特開2001-040481
出願日: 1999年07月27日
公開日(公表日): 2001年02月13日
要約:
【要約】【課題】 処理ガスラインからの処理ガスの供給を停止した際に、処理ガスライン内における処理ガス残存量のばらつきが少なく、かつ安定性の高いガス処理を行うことができるガス処理装置を提供すること。【解決手段】 処理ガスを供給する処理ガスライン55と、この処理ガスライン55と合流するとともに処理ガスをキャリアするキャリアガスを供給するキャリアガスライン56と、被処理基板Wが配置され、キャリアガスによってキャリアされた処理ガスが導入されるチャンバー11とによりガス処理装置100を構成し、キャリアガスライン56と処理ガスライン55との合流部分において、キャリアガスライン56と合流部下流側部分とが直線状をなし、処理ガスライン55と合流部下流側部分とが屈曲している。
請求項(抜粋):
処理ガスを供給する処理ガスラインと、この処理ガスラインと合流するとともに処理ガスをキャリアするキャリアガスを供給するキャリアガスラインと、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキャリアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを具備し、チャンバー内で被処理基板に所定のガス処理を施すガス処理装置であって、前記キャリアガスラインと前記処理ガスラインとの合流部分において、キャリアガスラインと合流部下流側部分とが直線状をなし、処理ガスラインと合流部下流側部分とが屈曲していることを特徴とするガス処理装置。
IPC (4件):
C23C 16/455 ,  B01J 4/00 102 ,  F17D 1/02 ,  H01L 21/285
FI (4件):
C23C 16/455 ,  B01J 4/00 102 ,  F17D 1/02 ,  H01L 21/285 C
Fターム (18件):
3J071AA02 ,  3J071BB11 ,  3J071BB14 ,  3J071CC03 ,  3J071CC04 ,  3J071DD26 ,  3J071FF11 ,  4G068AA02 ,  4G068AB01 ,  4G068AC05 ,  4G068AD39 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104DD44
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特公平4-021751
  • 成膜方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-297042   出願人:キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
  • 配管システム
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-155492   出願人:ソニー株式会社

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