特許
J-GLOBAL ID：200903028161720744

半導体装置の製造方法およびエッチング方法

発明者：
木村 忠之

木村 忠之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247339
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077087
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】コンタクトホールのテーパ形状化、ボーイング形状化を生じることなく、安定で信頼性の高いコンタクトを形成する。【解決手段】 トランジスタが形成されたSi基板1上に層間絶縁膜9、多結晶Si膜10を順次形成する。多結晶Si膜10に開口を形成し、その内壁に内壁膜12aを形成する。多結晶Si膜10および内壁膜12aをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー14を除去するアッシングとを3回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜9にソース/ドレイン領域6に達するコンタクトホール13を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電層上に形成された絶縁膜のエッチングを行うようにした半導体装置の製造方法において、上記絶縁膜をエッチングする第1のエッチングと、上記第1のエッチングの際に生じる堆積物を除去する第2のエッチングとを順次繰り返し行うことにより、上記絶縁膜に上記第1の導電層に達する第1の開口を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 Y
Fターム (54件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104GG06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG14 ,  4M104GG15 ,  4M104GG16 ,  4M104HH13 ,  5F004AA03 ,  5F004AA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004EA04 ,  5F004EA14 ,  5F004EA28 ,  5F004EB03 ,  5F033HH04 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033NN40 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02 ,  5F040DA15 ,  5F040EC07 ,  5F040EF02 ,  5F040EH03 ,  5F040EH08 ,  5F040FB04 ,  5F040FC21
引用特許：
審査官引用 (5件)
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