基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087468
公開番号（公開出願番号）：特開平9-256153
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】熱歪みが生じにくく、ブロックヒータの温度分布を改善し生産性を向上した基板処理装置を提供する。【解決手段】排気部12を備え、基板14を表面処理するための真空環境が作られる反応容器11と、反応容器内に設けられる基板保持体51と、反応容器に導入するガス導入手段21,22 を備え、さらに基板保持体はブロックヒータ56を含む。ブロックヒータは上部部材52と中間部材53と下部部材54を重ね合せ、それらの間の接触面を拡散接合により接合すると共に、中間部材と下部部材との間に発熱部55を設け、中間部材と上部部材との間にパージガス通路70,71 を形成するように構成される。

請求項（抜粋）：

内部を真空に排気するための排気部を備え、基板を表面処理するための真空環境が作られる反応容器と、前記反応容器の内部に設けられ、前記基板を載置する基板保持体と、前記表面処理に使用される反応ガスを前記反応容器に導入するガス導入手段とを備え、前記基板保持体は前記基板を所定温度に保持するためのブロックヒータを含む基板処理装置において、前記ブロックヒータは、少なくとも2つの部材を重ね合せ、それらの間の接触面を拡散接合により接合すると共に、前記2つの部材の間に発熱部を設けたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (7件)：

C23C 14/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/3065 , H01L 21/324

FI (8件)：

C23C 14/50 E , C23F 4/00 A , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 S , H01L 21/324 D , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

サセプタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-115528 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体ウェハ加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-103129 出願人：京セラ株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-048541 出願人：東京エレクトロン株式会社

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