特許

J-GLOBAL ID：200903028189987738

半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 晋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044132
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242139
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】ポリシラザンSOG膜が層間絶縁膜となる配線層の信頼性を向上させると共にその高性能化を容易にする。【解決手段】耐酸化性を有する金属層が表層部に形成された配線層を半導体基板上の下地絶縁膜上に形成する工程と、酸化ガスの耐透過性を有するサイドウォール絶縁膜を前記配線層と金属層の側壁に形成する工程と、その上に骨格中にシラザン結合を有するSi化合物材料からなるSOG形成材料を塗布し前記酸化ガス雰囲気中で前記SOG形成材料を焼成する工程とを含む。ここで、SOG形成材料の焼成雰囲気は水蒸気添加の酸素ガスである。

請求項（抜粋）：

耐酸化性を有する金属層が表層部に形成された配線層を半導体基板上の下地絶縁膜上に形成する工程と、酸化ガスの耐透過性を有するサイドウォール絶縁膜を前記配線層と金属層の側壁に形成する工程と、その上に骨格中にシラザン結合を有するSi化合物材料からなるSOG形成材料を塗布し前記酸化ガス雰囲気中で前記SOG形成材料を焼成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053690   出願人：光洋リンドバーグ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134382   出願人：富士通株式会社