特許

J-GLOBAL ID：200903028192063938

磁気抵抗効果素子、その製造方法及び製造装置並びに磁気再生装置

発明者： 福 澤 英 明 ,  鴻 井 克 彦 ,  福 家 ひろみ ,  富 田 宏 ,  岩 崎 仁 志 ,  佐 橋 政 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269099
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076473
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 バイアスポイントの設計が容易で、高感度且つ高信頼性を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】 スピンバルブ膜中に酸化物、または窒化物の磁気抵抗効果向上層をもつ磁気抵抗効果素子において、磁気抵抗効果向上層の形成方法として、希ガスイオンのプラズマを照射準備が完全に整い、照射するのとほぼ同時に酸素ガスを酸化室に導入することによって、低酸素量しか暴露しないときでの制御性を良くするとともに、希ガスイオンまたは希ガスプラズマによるエネルギアシスト効果のある、高エネルギ酸化が実現できる。

請求項（抜粋）：

2つの強磁性層と、これらの強磁性層の間に設けられた非磁性層と、を有する磁気抵抗効果素子であって、酸化物または窒化物を主成分とする層をさらに有し、前記酸化物または窒化物を主成分とする層は、それと接する層と比較して、アルゴン、キセノン、ヘリウム、クリプトン、ネオンのうちの少なくともいずれかの希ガスを相対的に多く含有することをことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (9件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/10 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  H05H 1/42 ,  H05H 1/46

FI (9件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/10 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  H05H 1/42 ,  H05H 1/46 B ,  G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049DB04 ,  5E049FC03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 極薄絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-137044   出願人：日本真空技術株式会社
• 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-078702   出願人：株式会社東芝