電界吸収型光強度変調器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261543
公開番号（公開出願番号）：特開平11-101959
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】大きな光入力に対する高い消光特性と安定な高速変調動作を兼ね備えた高性能な特性を実現する半導体量子井戸を光吸収層としてもつ電界吸収型光強度変調器を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板の上に第一の導電型を有する第一のクラッド層と導電型を有さない半導体多重量子井戸層からなる光吸収層と第二の導電型を有する第二のクラッド層が順に形成された電界吸収型光強度変調器において、光吸収層である半導体多重量子井戸層のうちの障壁層22に非発光再結合中心が配置されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に第一の導電型を有する第一のクラッド層と導電型を有さない半導体多重量子井戸層からなる光吸収層と第二の導電型を有する第二のクラッド層が順に形成された電界吸収型光強度変調器において、光吸収層である半導体多重量子井戸層のうちの障壁層に非発光再結合中心が配置されている特徴とする電界吸収型光強度変調器。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体光変調素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021427 出願人：日本電気株式会社
非対称バリア付き量子井戸
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-316017 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭63-136580

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