特許

J-GLOBAL ID：200903028211330349

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： 野崎 耕司 ,  小澤 美和
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-189182
公開番号（公開出願番号）：特開2008-107788
出願日： 2007年07月20日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】ArFレーザー光を利用でき、ArFレジストパターン等上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、エッチング耐性に優れ、露光限界を超えて微細なレジスト抜きパターン等を低コストで簡便に形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】樹脂と下記一般式(1)で表される化合物とを少なくとも含み、非水系であり、かつ酸発生剤及び架橋剤を含まないレジストパターン厚肉化材料。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

樹脂と、下記一般式(1)で表される化合物とを少なくとも含み、非水系であり、かつ酸発生剤及び架橋剤を含まないことを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。

IPC (2件)：

G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R

Fターム (8件)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087282   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-288117   出願人：富士通株式会社