特許
J-GLOBAL ID：200903015839914930
レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-288117
公開番号（公開出願番号）：特開2004-126080
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】レジストパターンを厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】樹脂と、界面活性剤とを含有するレジストパターン厚肉化材料。レジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することにより厚肉化レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法。下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
樹脂と界面活性剤とを含有することを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F7/40 521
, G03F7/40 511
, H01L21/30 570
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096HA05
, 2H096HA30
, 2H096LA30
, 5F046LA18
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
前のページに戻る
