特許

J-GLOBAL ID：200903059498899293

半導体装置およびその製造方法

発明者： 保田 直紀 ,  豊島 利之 ,  石橋 健夫 ,  片山 圭一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087282
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283910
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 露光によるレジストパターンの形成においては、波長によって微細化に限界がある。この限界を超えるとともに、パターン形状に優れ、かつ清浄なレジストパターンを有する半導体の製造方法を得る。【解決手段】 露光により酸を発生する材料を含む第1のレジストパターン1a上を、酸により架橋する有機溶剤に可溶な樹脂を含む第2のレジスト2で覆う。露光により第1のレジストパターン1aに架橋層4を形成して有機溶剤で現像することにより、第1のレジストパターン1aよりも太った第2のレジストパターン2aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、この第1のレジストパターン上に上記第1のレジストパターンを溶解せず酸により架橋反応を起こす第2のレジストを形成する工程と、酸の供給により上記第1のレジストパターンに接する上記第2のレジスト界面部分に架橋層を形成する工程と、上記第1のレジストパターンを溶解させないで上記第2のレジストの非架橋部分を溶解させる有機溶剤系の現像液で現像して第2のレジストパターンを形成する工程と、この第2のレジストパターンをマスクとして上記半導体基板をエッチングする工程とを備え、上記第2のレジスト材料として酸により架橋する有機溶剤に可溶な樹脂、または有機溶剤に可溶な架橋剤および酸の存在下でこの架橋剤により架橋される有機溶剤に可溶な樹脂を含有するものを用いた半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/30 573 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080940   出願人：三菱電機株式会社
• パタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042826   出願人：株式会社日立製作所