特許
J-GLOBAL ID：200903028223373884
熱電半導体材料
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-338893
公開番号（公開出願番号）：特開平7-291627
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1995年11月07日
要約：
【要約】【目的】 広い温度領域、例えば100K(約-173°C)〜1000K(約727°C)の範囲で優れた性能示数Zを示し、安定して使用することの可能な熱電半導体材料を提供する。【構成】 この熱電半導体材料は、Inを含み、正スピネル型結晶構造又は逆スピネル型結晶構造をなす複酸化物である。また、Mg及びCdの一方又は両方を含有させてもよいし、さらに、微量添加物として、周期律表のIa、IIa、IVa、Ib、IIIb、IVb族の第2から第6周期の元素から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜5.0原子%の濃度で含有させてもよいし、微量添加物として、鉄族遷移金属元素(Fe、Co、Niなど)及び希土類元素(Sc、Y及び原子番号57〜71のランタノイド)から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜5.0原子%の濃度で含有させてもよい。【効果】 従来にない広い温度範囲で安定して使用可能な熱電半導体材料を安価に提供し得る。
請求項（抜粋）：
インジウムを含み、正スピネル型結晶構造又は逆スピネル型結晶構造をなす複酸化物であることをことを特徴とする熱電半導体材料。
IPC (2件)：
引用特許：
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