特許
J-GLOBAL ID：200903028235748360
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296308
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101144
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子をヒートシンクにソルダでマウントする際に、ソルダ溢れに起因する電流リークの発生を抑制する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子LDの発光領域の両側に設けられた溝13の幅寸法、高さ寸法を大きくし、半導体レーザ素子LDとヒートシンクとの間に画成されるソルダの受容可能な体積をソルダの体積よりも大きくする。マウント時に溶融されるソルダを全て半導体レーザ素子とヒートシンクとの間に受容して両者間から溢れ出ることを防止することができる。これにより、半導体レーザ素子をマウントする際のソルダに起因する電流リーク不良を防止することができる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体層が積層され、ストライプ状の発光領域が形成されるとともに、前記発光領域を挟む両側領域の表面に溝が形成された半導体レーザ素子を備え、前記半導体レーザ素子を前記溝が形成された面をソルダによりヒートシンクにマウントする半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子と前記ヒートシンクとの間に画成されるソルダ受容可能な体積が前記ソルダの体積よりも大きくなるように前記溝の幅寸法、高さ寸法が設定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/22 610
, H01S 5/022
, H01S 5/223
H01S 5/22 610
, H01S 5/022
, H01S 5/223
5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073CA14
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA35
, 5F073EA29
, 5F073FA02
, 5F073FA06
, 5F073FA13
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA22
