コンフオーマルなチタン系フイルムおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：東島隆治 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-513405
公開番号（公開出願番号）：特表平10-508656
出願日： 1995年10月10日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】チタンおよび窒化チタン層を、475°Cより低い温度で行われる化学蒸着(CVD)法により製造することができる。これらの層は、極超大規模集積(ULSI)マイクロエレクトロニクス用途のための拡散および接着隔壁として役立ち得る。これらの方法は、四ヨウ化チタンのようなハロゲン化チタン前駆物質、および水素または水素と窒素、アルゴンもしくはアンモニアとの組み合わせを用いて、下側の珪素と合金を形成する純粋なチタン金属フィルム、または窒化チタンフィルムを製造する。ハロゲン化チタンおよび水素からのチタン金属の付着、またはハロゲン化チタンならびに窒素および水素からの窒化チタンの付着は、低エネルギープラズマの補助により達成される。これらの方法は、窒素またはアンモニアの導入または除去によりチタン金属または窒化チタンのいずれかのフィルムの付着間の平滑で逆転可能な転移を提供する。

請求項（抜粋）：

(a)基板、(b)式(I):Ti(I4-m-n)(Brm)(Cln)(式中、mは0〜4およびnは0〜2)で示される化合物の蒸気、(c)アンモニアおよびヒドラジンからなる群より選択される第1のガス、および(d)水素、窒素、アルゴンおよびキセノンからなる群より選択される第2のガス、の諸成分を付着チャンバーに導入すること、および前記成分を含む前記チャンバーを約200°C〜約650°Cの温度で基板上にチタン系フィルムを付着させるのに充分な時間維持すること、を含んでなる、基板上にチタン系フィルムを化学蒸着する方法。

IPC (5件)：

C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3205

FI (5件)：

C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化チタン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-293309 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068779 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平2-025568

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