特許

J-GLOBAL ID：200903028303019194

半導体熱処理用Si-SiC製部材およびその製造方法

発明者： 堀内 雄史 ,  黒井 茂明
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309159
公開番号（公開出願番号）：特開2000-119079
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】【課題】大口径半導体ウェーハ熱処理用に適し、半導体ウェーハの汚染がなくスリップを発生させない半導体熱処理用部材およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体熱処理用Si-SiC製ウェーハボート1の基材に金属不純物含有量として、Feの含有量が0.05ppm以下、NiとCuとNaとCaとCrとKの合計含有量が0.05ppm以下のものを用い、かつ半導体ウェーハが接触するウェーハボートの部位7の表面粗さ(Ra)を0.20μm以下にする。

請求項（抜粋）：

SiCにSiを含浸してなるSi-SiCを基材とする半導体熱処理用Si-SiC製部材において、前記基材の金属不純物含有量として、Feの含有量が0.05ppm以下、NiとCuとNaとCaとCrとKとの合計含有量が0.05ppm以下であり、かつ少なくとも半導体が接触するの部位の表面粗さ(Ra)が0.20μm以下であることを特徴とする半導体熱処理用Si-SiC製部材。

IPC (5件)：

C04B 41/85 ,  C04B 41/87 ,  C04B 41/88 ,  C23C 16/32 ,  H01L 21/22 501

FI (6件)：

C04B 41/85 H ,  C04B 41/87 M ,  C04B 41/87 G ,  C04B 41/88 U ,  C23C 16/32 ,  H01L 21/22 501 G

Fターム (4件)：

4K030BA37 ,  4K030CA05 ,  4K030CA11 ,  4K030GA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体用治工具及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-228648   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-129511   出願人：イビデン株式会社