特許

J-GLOBAL ID：200903028319956503

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ

発明者： 飯田 誠 ,  鈴木 聡 ,  飯野 栄一 ,  木村 雅規 ,  村岡 正三
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338107
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157996
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CZ法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、FPD 及びL/D がウエーハ全面内に存在せず、かつウエーハ全面で酸素析出によるゲッタリング能力があるウエーハ、及び OSF核は存在するが、熱酸化処理時に該リングは発生せず、 FPD及びL/D がウエーハ全面に存在せず、かつゲッタリング能力があるウエーハを提供する。【解決手段】 CZ法において引上速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°C間の引上軸方向の結晶内温度勾配平均値をG[°C/mm]で表した時、F/G[mm2/°C・min] の値を縦軸、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm] を横軸とした欠陥分布図において、 OSFリングの外側のN領域の内、酸素析出の多いN2(V)領域で引上げるか、 OSFリング領域を含む OSFリング内外のN1(V)領域とN2(V)領域内でシリコン単結晶を引上げる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図において、OSFリング領域の外側に存在するN領域の内、酸素析出の多いN2 (V)領域内で結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

FI (5件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/00 Z ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158458   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコンウェーハ、およびこのシリコンウェーハを得るためのシリコン単結晶の製造方法、ならびにその評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066074   出願人：新日本製鐵株式会社