特許
J-GLOBAL ID：200903028342018138
二酸化バナジウム薄膜製造装置、二酸化バナジウム薄膜製造方法、スイッチング素子製造方法、およびスイッチング素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
磯野 道造
, 多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-049147
公開番号（公開出願番号）：特開2007-224390
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】二酸化バナジウム薄膜を形成した半導体素子(スイッチング素子)の大量生産に好適な二酸化バナジウム薄膜製造装置を提供する。【解決手段】本発明の二酸化バナジウム薄膜製造装置1は、スパッタリングによって基板2に二酸化バナジウム薄膜を堆積する二酸化バナジウム薄膜製造装置1であって、真空容器3と、真空容器3内に設けられ、基板2を設置して、当該基板2を300〜450°Cに加熱する加熱手段4と、当該加熱手段4と対向する位置に設けられ、バナジウムからなるターゲット物質を設置する磁石52を有するホルダー部5と、真空容器3内に希ガスと酸素ガスを導入するガス導入管6と、ターゲット物質51に高周波電圧を印加するために接続された電源7と、を備え、加熱手段4とターゲット物質51との間に、高周波電圧を印加するための電源81が接続された導電性金属部材8を設けたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スパッタリングによって基板上に金属-絶縁体相転移する二酸化バナジウム薄膜を堆積する二酸化バナジウム薄膜製造装置であって、
真空容器と、
当該真空容器内に設けられ、前記基板を設置して、当該基板を300〜450°Cに加熱する加熱手段と、
当該加熱手段と対向する位置に設けられ、バナジウムまたはバナジウム酸化物からなるターゲット物質を設置する磁石を有するホルダー部と、
前記真空容器内に希ガスと酸素ガスを導入するガス導入管と、
前記ターゲット物質に高周波電圧を印加するために接続された電源と、
を備え、
前記加熱手段と前記ターゲット物質との間に、高周波電圧を印加するための電源が接続された導電性金属部材を設けたことを特徴とする二酸化バナジウム薄膜製造装置。
IPC (5件)：
C23C 14/08
, H01L 21/363
, C23C 14/34
, H01L 45/00
, H01L 49/00
C23C14/08 J
, H01L21/363
, C23C14/34 T
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
4K029AA06
, 4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA43
, 4K029BB09
, 4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC35
, 4K029DC40
, 4K029EA03
, 4K029EA04
, 4K029EA08
, 4K029EA09
, 5F103AA08
, 5F103BB46
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103HH04
, 5F103LL20
, 5F103RR04
