特許

J-GLOBAL ID：200903006294948140

急激な金属-絶縁体転移半導体物質を利用した2端子半導体素子及びその製造方法

発明者： キム、ヒュン、タク ,  ヨン、ドゥー、ヒェブ ,  チェ、ビュン、ギュ ,  カン、クワン、ヨン ,  リム、ヨン、シク ,  キム、ギュンゴク ,  メン、スンリュル ,  キム、ソン、ヒュン
出願人/特許権者： 韓國電子通信研究院
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-381971
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032898
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 急激な金属-絶縁体転移半導体物質を利用した2端子半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る2端子半導体素子は、第1電極膜と、第1電極膜上に配置される2eV以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属-絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属-絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第2電極膜と、を備えている2端子半導体素子である。これによれば、第1電極膜と第2電極膜との間に印加される電界によって急激な金属-絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属-絶縁体転移が発生する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1電極膜と、 前記第1電極膜上に配置される2eV以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属-絶縁体転移半導体有機又は無機物質膜と、 前記急激な金属-絶縁体転移半導体有機又は無機物質膜上に配置される第2電極膜と、 を備えていることを特徴とする2端子半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 49/02 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L49/02 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/28

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,687,112号公報
  
• 米国特許第6,624,463号公報
  

審査官引用 (4件)

• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-600308   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-065312   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• ナノスケールのモット転移分子電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-257801   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 遷移金属酸化物光伝導デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-332735   出願人：廣井善二, 村岡祐治, 山内徹