特許
J-GLOBAL ID:200903028407585108
ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-001102
公開番号(公開出願番号):特開2007-182488
出願日: 2006年01月06日
公開日(公表日): 2007年07月19日
要約:
【解決手段】下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。(式中、A1は炭素-炭素二重結合を有する重合性官能基を示す。R1は構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示す。WはCH2、酸素原子、硫黄原子のいずれかを示す。)【効果】本発明のラクトン含有化合物は、機能性材料、医薬・農薬等の原料として有用であり、中でも波長500nm以下、特に波長300nm以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト組成物のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。また、本発明の重合体を感放射線レジスト組成物のベース樹脂として用いた場合、高解像性かつ液侵媒体である水への溶出及び水の浸入を抑制し、この高分子化合物がレジスト材料として精密な微細加工に極めて有効である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。
IPC (6件):
C08F 20/10
, G03F 7/039
, H01L 21/027
, C07D 307/93
, C07D 493/18
, C08F 32/04
FI (6件):
C08F20/10
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, C07D307/93
, C07D493/18
, C08F32/04
Fターム (62件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025FA01
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 4C037UA03
, 4C071AA03
, 4C071BB01
, 4C071CC12
, 4C071DD08
, 4C071EE05
, 4C071FF15
, 4C071HH05
, 4C071HH09
, 4C071HH28
, 4C071LL03
, 4J100AJ02Q
, 4J100AL03Q
, 4J100AL04Q
, 4J100AL08P
, 4J100AR11P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BB07P
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC02P
, 4J100BC03P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC12P
, 4J100BC12Q
, 4J100BC15Q
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100BC58P
, 4J100BC58Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA36
, 4J100DA62
, 4J100FA27
, 4J100JA38
引用特許:
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