ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-333504
公開番号（公開出願番号）：特開2005-099456
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】孤立溝(トレンチ)パターン及び密トレンチパターン形成において広いプロセスウインドウ確保が可能なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)ノルボルナンラクトン構造を有する特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)一般式(A1)で表される繰り返し単位及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により一般式(I)で表される酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F7/039 , C08F220/00 , G03F7/004 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 , C08F220/00 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R

Fターム (44件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA11P , 4J100BA12P , 4J100BA12Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA20P , 4J100BA51P , 4J100BC02Q , 4J100BC04Q , 4J100BC07Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12Q , 4J100BC53P , 4J100BC58P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (15件)

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-165085 出願人：信越化学工業株式会社
レジスト樹脂用モノマーおよびそれを重合単位として含むレジスト用樹脂
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-351365 出願人：株式会社東芝
日本特許第3042618号公報

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