CVD装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河▲崎▼ 眞樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225966
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146544
出願日： 1995年12月29日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】蒸気ガス量を任意に制御することが可能でPLZT等複合金属酸化物等の多元素化合物の組成比を安定的に再現し、且つ精度よく成膜することのできるCVD装置を提供する。【解決手段】薄膜形成用基板を設置する反応室21と、該反応室と管路で連結されたガス混合室22と、成膜用原料物質を充填する容器を収容した恒温槽(26、27、28)と、管路に設置された赤外線ガス分析計20と、前記混合室にキャリヤガスを供給するガス供給装置と、前記原料物質を充填した各容器にキャリヤガスを供給するガス供給装置と、管路途中及び前記原料物質を充填した各容器とガス供給装置との管路途中に設置されたマスフロ-コントロ-ラ29と、前記赤外線ガス分析計20及び前記各マスフロ-コントロ-ラからの検出信号によりガス流量を制御する制御装置30と,で構成する。

請求項（抜粋）：

薄膜形成用基板を設置する反応室と、該反応室と管路で連結されたガス混合室と、成膜用原料物質を充填し前記混合室に管路で連結された容器を収容した恒温槽と、該ガス混合室と前記各恒温槽に収容された容器を連結する管路に設置された赤外線ガス分析計と、前記混合室にキャリヤガスを供給する例えばガスボンベ等のガス供給装置と、前記原料物質を充填した各容器とこれらの各容器にキャリヤガスを供給する例えばガスボンベ等のガス供給装置と、前記混合室とガス供給装置の管路途中及び前記原料物質を充填した各容器とガス供給装置との管路途中に設置されたマスフロ-コントロ-ラと、前記赤外線ガス分析計からのガス成分毎の濃度或いは前記各マスフロ-コントロ-ラからの流量の検出信号により前記恒温室の温度及び前記各マスフロ-コントロ-ラのガス流量を制御する制御装置と,を備えたことを特徴とするCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/52 , B01J 19/00 , G01N 21/35 , H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/52 , B01J 19/00 L , G01N 21/35 Z , H01L 21/31 B

Fターム (38件)：

2G059AA01 , 2G059BB01 , 2G059EE01 , 2G059GG00 , 2G059HH01 , 2G059JJ03 , 2G059KK01 , 2G059PP02 , 4G075AA24 , 4G075AA62 , 4G075AA63 , 4G075AA65 , 4G075BA05 , 4G075BB05 , 4G075BC04 , 4G075BD14 , 4G075CA02 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030KA36 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC09 , 5F045EB02 , 5F045EB10 , 5F045GB07

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-244125
特開昭62-244125
FTIRを用いた酸化アルミニウム低圧化学蒸着(LPCVD)の制御システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-031952 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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