特許
J-GLOBAL ID：200903028411979463
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-315315
公開番号（公開出願番号）：特開2008-129388
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、かつ酸を発生する化合物(B)が下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩化合物であるポジ型レジスト材料。(R1はH、メチル基、又はトリフルオロメチル基。R2は酸不安定基。R3はH又はCO2R4。R4は1価炭化水素基。XはO、S、CH2、又はCH2CH2。mは1又は2。nは1又は2。a、b、c、dはそれぞれ0.01以上1未満であり、a+b+c+d=1。)(R5、R6、R7はH、又は1価炭化水素基。R8は1価炭化水素基。)【効果】本発明のレジスト材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、ラインエッジラフネスの小さいパターンを与えることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、かつ酸を発生する化合物(B)が下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
