特許
J-GLOBAL ID：200903028425688380
透明導電性超薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院大阪工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197962
公開番号（公開出願番号）：特開平7-173610
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：
【要約】【構成】基体上に形成された遷移金属の少なくとも1種を含む膜厚1〜200nmの透明導電性超薄膜;及び気化した遷移金属の少なくとも1種を、真空中で励起状態の基体上に蒸着させて当該遷移金属の薄膜を形成することを特徴とする透明導電性超薄膜の製造方法。【効果】透明性、導電性及び耐環境性に優れた薄膜を提供できる。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された、遷移金属の少なくとも1種を含む膜厚1〜200nmの透明導電性超薄膜。
IPC (4件)：
C23C 14/08
, C01G 55/00
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
