薄膜形成装置及び薄膜形成装置のクリーニング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田澤博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-209350
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】装置内に形成された付着物等を装置にダメージを与えることなく均一かつ効率的に除去し、製造デバイスの特性劣化或いは不良品発生をなくして製造歩留まりを向上させるような薄膜形成装置を得る。【構成】クリーニングガスを反応容器に導入する前に加熱する第一のガス温度制御手段39と、クリーニングガスを反応容器2に導入する前に冷却する第二のガス温度制御手段40とを備える。

請求項（抜粋）：

被処理物を成膜処理する反応容器と、前記反応容器に成膜用のガスを導入する成膜用ガス導入手段と、前記反応容器内に付着した付着物を除去するクリーニングガスを前記反応容器内に導入するクリーニングガス導入手段と、使用されたクリーニングガスを前記反応容器外に排出するクリーニングガス排出手段とを有した薄膜形成装置において、前記クリーニングガスを前記反応容器に導入する前に加熱する第一のガス温度制御手段と、前記クリーニングガスを前記反応容器に導入する前に冷却する第二のガス温度制御手段の少なくとも一方を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-185977
特開平4-245627
CVD装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-324954 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社

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