特許

J-GLOBAL ID：200903042835971570

半導体製造装置及びそのクリーニング方法

発明者： 筑根 敦弘 ,  鈴木 清且 ,  松浦 克好 ,  三重野 文健 ,  山西 宏和
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041335
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249585
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造装置の処理容器内面に与えるダメージを抑え、かつ、付着した皮膜を短時間に除去することができるクリーニング技術を提供する。【構成】 内部を排気可能な処理容器と、少なくとも処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し部を有し、ClF3 を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第1のクリーニングガス供給手段とを含む。処理容器を円筒状とし、第1のクリーニングガス供給手段を、処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の棒状体とし、その側面に多数の貫通孔を設けてもよい。

請求項（抜粋）：

内部を排気可能な処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ClF3 を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第1のクリーニングガス供給手段とを含む半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/31 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 反応炉内部の残留ハロゲン除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-043524   出願人：京セラ株式会社
• 特開平2-001116
  
• 特開平2-049425
  
• 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-128027   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 反応炉内部の残留ハロゲン除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-043524   出願人：京セラ株式会社
• 特開平2-001116
  
• 特開平2-049425
  
• 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-128027   出願人：株式会社東芝