特許
J-GLOBAL ID：200903028449724051

発光装置の製造方法

発明者：
小林 英和

小林 英和 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-031619
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198457
出願日： 2007年02月13日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】複数の発光単位層が積層されたタンデム型発光装置の製造コストを低減する。【解決手段】ベースフィルム11に剥離層12と発光単位層Uとが積層されたドナーフィルム10を用意する。ドナーフィルム10を基板20の電極30に接触させた状態でレーザ光Lを照射し、発光単位層Uを剥離することにより、第1発光単位層U1を電極30の表面に転写する。続いて、第1発光単位層U1の表面にドナーフィルム10を接触させた状態でレーザ光Lを照射して転写することにより、第2発光単位層U2を第1発光単位層U1の上に積層する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも第1および第2の発光単位層が積層され、前記各発光単位層が第1電極と第2電極と両者に挟まれた発光層を有し、前記第1電極、前記第2電極および前記発光層の各々が光透過型の材料で形成されたタンデム型発光装置の製造方法であって、 ベースフィルムと剥離層と前記発光単位層とが順に積層されたドナーフィルムを用意し、 発光単位層が転写される基板上の被転写領域の表面にドナーフィルムの発光単位層側の面を接触させ、前記ドナーフィルムと前記被転写領域とが接触した状態において、前記ドナーフィルムにレーザ光を照射し、剥離層を境に前記ベースフィルムから発光単位層を剥離することにより前記第1発光単位層を前記被転写領域の上に転写する第1層転写工程と、 ドナーフィルムの発光単位層側の面を前記第1発光単位層の表面に接触させ、前記ドナーフィルムと前記第1発光単位層とが接触した状態において、前記ドナーフィルムにレーザ光を照射し、剥離層を境に前記ベースフィルムから発光単位層を剥離することにより前記第2発光単位層を前記第1発光単位層の上に転写する第2層転写工程と を備えるタンデム型発光装置の製造方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/12 ,  G09F 9/00
FI (5件)：
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/12 C ,  H05B33/12 E ,  G09F9/00 338
Fターム (21件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB04 ,  3K107BB08 ,  3K107CC09 ,  3K107CC45 ,  3K107DD52 ,  3K107EE22 ,  3K107GG09 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435HH18 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL03 ,  5G435LL04 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08 ,  5G435LL12 ,  5G435LL14
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-094327   出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (3件)

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