特許

J-GLOBAL ID：200903028453387647

パターン形成方法、導電性薄膜、電気光学装置、電子機器

発明者： 長谷井 宏宣
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320160
公開番号（公開出願番号）：特開2005-081335
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 液滴吐出手段を用いて積層型のパターンを形成する場合において、工程時間を短縮できるようにする。【解決手段】 被膜がコーティングされた微粒子からなるパターン形成材料を分散媒中に分散させた液体材料を、液滴吐出手段を介して基板上に配置する描画工程と、前記基板上に配置された液体材料をその分散媒の沸点以上の温度で加熱する焼成工程とを備え、前記描画工程において使用するパターン形成材料を変えながら該描画工程と焼成工程とを繰り返すことにより、基板上に複数種類のパターン形成材料の積層膜からなるパターンを形成する方法であって、繰り返し行なわれる焼成工程の内、最後に行なわれる焼成工程の処理温度を前記被膜の分解温度以上の温度とし、それ以外の焼成工程の処理温度を前記分散媒の沸点以上で且つ前記被膜の分解温度未満の温度とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

パターン形成材料を分散媒中に分散または溶解させた液体材料を、液滴吐出手段を介して基板上に配置する描画工程と、前記基板上に配置された前記液体材料を前記分散媒の沸点以上の温度で加熱する加熱工程とを備え、前記描画工程において使用するパターン形成材料を変更させて描画する描画工程と加熱工程とを繰り返すことにより、基板上に複数種類のパターン形成材料の積層膜からなるパターンを形成する方法であって、 最後に行なわれる加熱工程の処理温度を最も高くすることを特徴とする、パターン形成方法。

IPC (7件)：

B05D3/02 ,  B05D5/12 ,  B41J2/01 ,  G02B5/20 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05K3/10

FI (7件)：

B05D3/02 Z ,  B05D5/12 B ,  G02B5/20 101 ,  H01L21/288 Z ,  H05K3/10 D ,  B41J3/04 101Z ,  H01L21/88 B

Fターム (69件)：

2C056FB05 ,  2C056HA44 ,  2H048BA02 ,  2H048BA11 ,  2H048BA55 ,  2H048BA64 ,  2H048BB02 ,  2H048BB42 ,  4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AE02 ,  4D075AE04 ,  4D075BB28Z ,  4D075BB93Z ,  4D075CA13 ,  4D075CA22 ,  4D075CA36 ,  4D075CB11 ,  4D075DA04 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB31 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA10 ,  4D075EB16 ,  4D075EB43 ,  4D075EC10 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343BB08 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB72 ,  5E343DD17 ,  5E343EE36 ,  5E343ER33 ,  5E343ER35 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5F033GG04 ,  5F033HH06 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ84 ,  5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• カラーフィルタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-263707   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (2件)

• 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-113586   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 微細構造体の製造方法、微細構造体、及びこれを形成するための基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-099968   出願人：セイコーエプソン株式会社