成膜方法及び熱処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324470
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093677
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】不純物の突き抜けを防止することが可能な絶縁層を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】表面にSiO2 膜、或いはSiON膜よりなるベース膜が形成されている複数枚の被処理体Wに成膜を施す方法において、複数枚の被処理体を、所定の間隔を隔てて多段に収容した処理容器内にジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラクロロシランよりなる群から選択されるいずれか1つの原料ガスとアンモニアガスとを交互に複数回繰り返し供給して低いプロセス温度にてベース膜上に薄いシリコン窒化膜を積層するように成膜する。これにより、積層シリコン窒化膜の膜質が改善されて、不純物の突き抜けを大幅に抑制する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面にSiO2 膜、或いはSiON膜よりなるベース膜が形成されている複数枚の被処理体に成膜を施す方法において、前記複数枚の被処理体を、所定の間隔を隔てて多段に収容した処理容器内にジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラクロロシランよりなる群から選択されるいずれか1つの原料ガスとアンモニアガスとを交互に複数回繰り返し供給して低いプロセス温度にて前記ベース膜上に薄いシリコン窒化膜を積層するように成膜する積層工程を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/455

FI (3件)：

H01L21/318 B , C23C16/34 , C23C16/455

Fターム (19件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030EA08 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA12 , 4K030LA13 , 4K030LA14 , 4K030LA15 , 5F058BA05 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-168789 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-168789 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-234841 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-014003 出願人：株式会社日立国際電気

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