半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：平山一幸 , 海津保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158788
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006455
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】ALD法による窒化珪素分子層を用いるゲート絶縁膜構造を有する半導体デバイスにおいて、不純物の再拡散が少なく、ボロン突き抜けが抑制され、直接トンネル・リーク電流が小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板2に形成されたソース領域3とドレイン領域4と、シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜5とゲート電極8とソース電極3Aとドレイン電極4Aとを備えた半導体装置であって、ゲート絶縁膜5が、シリコン基板2上に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜の何れか1つの絶縁膜6上に形成された窒化珪素分子層7とからなる。あるいは、ゲート絶縁膜5が、シリコン基板2上に形成された窒化珪素分子層7からなる。低温プロセスで窒化珪素分子層7の誘電率を7以上にし、かつ、欠陥密度を小さくすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板に形成されたソース領域とドレイン領域と、シリコン基板上に形成されたソース電極とドレイン電極とゲート絶縁膜とゲート電極と、を備えた半導体装置であって、上記ゲート絶縁膜が、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜,シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜の何れか1つの絶縁膜、及び該絶縁膜上に形成された窒化珪素分子層とから形成されることを特徴とする、半導体装置。

IPC (9件)：

H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (6件)：

H01L29/78 301G , H01L21/31 B , H01L21/318 B , H01L27/10 651 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (77件)：

5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD09 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DC51 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EE19 , 5F045EK06 , 5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BH01 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F083AD11 , 5F083EP42 , 5F083EP44 , 5F083EP45 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083PR21 , 5F101BA23 , 5F101BA29 , 5F101BA34 , 5F101BA35 , 5F101BH04 , 5F101BH05 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG27 , 5F140BG30 , 5F140BG37 , 5F140BG46 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140CC11

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-169932
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-283781 出願人：株式会社東芝
特開平1-169932

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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