特許

J-GLOBAL ID：200903028476866240

磁気センサ

発明者： 今井 秀秋 ,  吉田 孝志
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070146
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 高感度でかつ信頼性に優れた磁気センサを提供することを目的とする。【構成】 Si/SiGeのヘテロ構造からなる積層薄膜からなるホール素子および該ヘテロ構造からなるトランジスタを磁気センサからの信号を処理するIC回路に利用した構造の複合磁気センサである。【効果】 高感度でかつ高信頼性の磁気センサに関し、信号処理回路も一体になっているので、広い分野で使用することができるセンサである。

請求項（抜粋）：

感磁部がSiGe混晶層にサンドイッチされたSi超薄膜層、および該SiGe混晶層に隣接して電子供給層を設けたSi/SiGeのヘテロ構造からなることを特徴とするホール素子。

IPC (2件)：

H01L 43/06 ,  G01R 33/07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-091273
  
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-239241   出願人：株式会社日立製作所
• バイポーラトランジスタおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-189530   出願人：ローム株式会社
• 特開平3-091273