特許
J-GLOBAL ID：200903028476866240
磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070146
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 高感度でかつ信頼性に優れた磁気センサを提供することを目的とする。【構成】 Si/SiGeのヘテロ構造からなる積層薄膜からなるホール素子および該ヘテロ構造からなるトランジスタを磁気センサからの信号を処理するIC回路に利用した構造の複合磁気センサである。【効果】 高感度でかつ高信頼性の磁気センサに関し、信号処理回路も一体になっているので、広い分野で使用することができるセンサである。
請求項（抜粋）：
感磁部がSiGe混晶層にサンドイッチされたSi超薄膜層、および該SiGe混晶層に隣接して電子供給層を設けたSi/SiGeのヘテロ構造からなることを特徴とするホール素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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