特許
J-GLOBAL ID：200903028477080810
ウルツ鉱型III-V族窒化物薄膜とその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209806
公開番号（公開出願番号）：特開2005-075651
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】光電子材料として応用可能なIII-V族窒化物結晶膜であって、STARK効果を加味し、非極性表面を持つ結晶膜を得ること。【解決手段】(In1-x-yGaxAly)N(式中、0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)で示されるIII-V族窒化物結晶膜であって、結晶構造に由来するファセットからなる凹凸状の構造が出現するに足る熱処理を施した酸化亜鉛単結晶基板の(11-20)結晶面上に成長しており、非極性表面である(11-20)表面を持つIII-V族窒化物結晶膜。さらに、該基板と該族窒化物結晶膜との界面に亜鉛とガリウムと酸素からなるスピネル相が介在するIII-V族窒化物結晶膜。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
(In1-x-yGaxAly)N(式中、0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)で示されるIII-V族窒化物結晶膜であって、結晶構造に由来するファセットからなる凹凸状の構造が出現するに足る熱処理を施した酸化亜鉛単結晶基板の(11-20)結晶面上に成長しており、非極性表面である(11-20)表面を持つことを特徴とするウルツ鉱型III-V族窒化物結晶膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/38 D
, H01L21/203 M
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077DA05
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077EF03
, 4G077HA01
, 4G077HA15
, 4G077SC01
, 5F103AA01
, 5F103AA04
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103HH08
, 5F103LL03
