特許

J-GLOBAL ID：200903028481925743

配線形成方法

発明者： 五十嵐 泰史 ,  山野辺 智美
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-259906
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088229
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の劣化を招かないような低い温度でCu配線のバリア層を形成する。【構成】 下地10上に順次に、TiNバリア層12、Cu層14及び上側バリア層を兼ねるTiNエッチングマスク20を積層する。次にRIE法により、マスク20を介してCu層14及びバリア層12を順次にエッチングし配線形状に加工する。この際、エッチングガスとしてTiCl4、Cl2及びN2の混合ガスを用いることにより、バリア層16、Cu層14及びバリア層12をエッチングしながら、これらのエッチング加工側壁面にTiN側壁バリア層22を堆積させることができる。しかもエッチングとバリア層22の堆積とを半導体素子の劣化を招かないような低温で行なえる。

請求項（抜粋）：

下地上に順次に下側バリア層及び配線主材層を積層する工程と、前記配線主材層上に上側バリア層を兼ねるエッチングマスクを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により、前記配線主材層を配線形状にエッチング加工しながら、該配線主材層のエッチング加工側壁面に、主として前記エッチングマスクと反応性エッチングガスとの反応生成物より成る側壁バリア層を堆積させる工程とを含み、前記反応性エッチングガスは、側壁バリア構成元素を含む塩化物から成る主原料ガスと、側壁バリア層の厚さを制御するためのClを含む塩素系ガスと、配線主材層のサイドエッチングを防止するためのNを含む窒素系ガスとを混合して成り、前記エッチングマスクは、側壁バリア構成元素を含む膜から成り、前記主原料ガスとして、Ti塩化物及びZr塩化物の一方又は双方を用い、前記エッチングマスクとして、Ti膜、Zr膜、Ti及びZrの一方を含む化合物膜、及び、Ti及びZrの双方を含む化合物膜のなかから選択した一種の膜から成る単層膜又は複数種の膜から成る多層膜を用いることを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-031832   出願人：松下電子工業株式会社
• 配線パターンおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-252562   出願人：ソニー株式会社