特許
J-GLOBAL ID：200903028501790769
不揮発性半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195787
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064701
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、本来の特性を維持しつつ、大幅な縮小化を図ることができる不揮発性半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された電荷蓄積層、および前記電荷蓄積層上に絶縁膜を介して形成された制御ゲートにより構成されており、電気的に情報の書き換えが可能であるメモリセルを複数配列してなるセルアレイと、前記半導体基板上に形成されており、2つの電極の間に絶縁膜が挟持された積層体で構成され、前記2つの電極間を導通させるコンタクト部を有する選択ゲートとを具備し、前記選択ゲートにおいて、それぞれの選択ゲートの前記コンタクト部が対向しないように配置されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された電荷蓄積層、および前記電荷蓄積層上に絶縁膜を介して形成された制御ゲートにより構成されており、電気的に情報の書き換えが可能であるメモリセルを複数配列してなるセルアレイと、前記半導体基板上に形成されており、2つの電極の間に絶縁膜が挟持された積層体で構成され、前記2つの電極間を導通させるコンタクト部を有する選択ゲートと、を具備する不揮発性半導体装置であって、前記選択ゲートにおいて、それぞれの隣接する選択ゲートの前記コンタクト部が対向しないように配置されることを特徴とする不揮発性半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
