特許
J-GLOBAL ID：200903028512246769
半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273082
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086758
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 複数のチップが積層される半導体装置の積層工程における工程時間が短く、設備の規模が比較的小さく、設備費も比較的低廉な半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置を提供する。【解決手段】 ダイボンダ20内に複数のウエハ1a、1bを載置する工程と、ダイボンダ20内にて、複数のウエハ1a、1bからそれぞれ切り出した複数のチップ3a、3bを、ダイボンド材7aを介して、接合する工程と、ダイボンダ20内にて、接合工程にて積層された複数のチップ11を、ダイボンド材7bを介して、ダイパッド12上に接合する工程とを備えた。
請求項（抜粋）：
ダイボンダ内に複数のウエハを載置する工程と、上記ダイボンダ内にて、上記複数のウエハからそれぞれ切り出した複数のチップを、ダイボンド材を介して、接合する工程と、上記ダイボンダ内にて、上記接合工程にて積層された複数のチップを、ダイボンド材を介して、ダイパッド上に接合する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 21/52
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 21/52 F
, H01L 25/08 Z
