特許

J-GLOBAL ID：200903039709478299

チップ吸着用ダイコレット及び半導体製造方法

発明者： 村田 昭彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158588
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353401
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】複数段の半導体チップを一つのパッケージ内に精度良く且つ効率的に搭載することができるチップ吸着用ダイコレット及び半導体製造方法を提供する。【解決手段】ダイコレット11は、第1の半導体チップC1を第1の吸着面13aに吸着保持した状態で、第2の半導体チップC2を当該各チップC1,C2間に介在する接着材料17に密着させるように第2の吸着面13bに吸着保持する。次いで、ダイコレット11は、各半導体チップC1,C2を吸着保持した状態で、それら各半導体チップC1,C2を、接着材料を塗布した配線基板上に搭載する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体チップを真空吸着するチップ吸着用ダイコレットであって、前記各半導体チップの辺が当接する吸着面からなり、前記複数の半導体チップを積層状態に吸着保持するとともに、各段の半導体チップ間に介在させた接着部材を該接着部材の上下の半導体チップに密着させるように形成された凹部を有することを特徴とするチップ吸着用ダイコレット。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/52

FI (2件)：

H01L 21/52 F ,  H01L 25/08 Z

Fターム (1件)：

5F047FA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-315486
  
• 多層チップの組み立て方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-288279   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-257029   出願人：三洋電機株式会社