特許
J-GLOBAL ID：200903028563965573
カーボンナノチューブの製造方法、電界放出型冷陰極装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255515
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086216
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：
【要約】【課題】個々のエミッタに十分な電圧を印加し、安定した大放出電流を得る。【解決手段】シリコン基板1上に形成されたSiO2 膜2及びゲート層3のパターニングの後にスパッタによりFe薄膜5を形成すると同時に露出したシリコン基板1表面にFeドット6を形成し、電磁石7によりFeドット6にシリコン基板1表面に対して垂直方向に磁界を印加してFeドット6を吸引しながらFeドット6とシリコン基板1間にカーボンナノチューブ8を選択的に成長させることによりエミッタ電極を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体、金属又は絶縁体の基板上に選択的に露出した磁性材料からなる金属触媒ドットに、前記基板表面に対して垂直方向に磁界を印加してカーボンナノチューブを選択的に成長させ、前記金属触媒ドットを該カーボンナノチューブの先端部に残存させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101
, C23C 16/26
, H01J 1/304
, H01J 9/02
C01B 31/02 101 F
, C23C 16/26 Z
, H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
4G046CC09
, 4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BA44
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030HA01
, 4K030LA11
