特許
J-GLOBAL ID：200903028569368410

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者：
高木 幹夫

高木 幹夫 について


出願人/特許権者：
株式会社エフティーエル

株式会社エフティーエル について


代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-339005
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186081
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 内管(1b)と外管(1a)含んでなる縦型反応炉の下部において環状流路(4)から少なくとも不活性ガスを排気(3)しつつウェーハ(8)を加熱炉内で反応ガスの存在下で熱処理する半導体装置の製造において、パーティクルを低減する。【構成】 外管(1a)内にウェーハ(8)の位置もしくは該位置より上方で導入された反応ガスと、内管(1b)の上端とほぼ同じ位置もしくはより上方に上昇移動されたウェーハ(8)との反応を起こさせ,また内管(1b)の下部よりウェーハの方向に流された不活性ガスにより反応ガスの内管内への流入を阻止する。
請求項（抜粋）：
内管と外管を含んでなる縦型反応炉の下部において内管と外管の間の環状流路から少なくとも不活性ガスを排気しつつウェーハを加熱炉内で反応ガスの存在下で熱処理する半導体装置の製造方法において、前記外管内にウェーハの位置もしくは該位置より上方で導入された反応ガスと、前記内管の上端とほぼ同じ位置もしくはより上方に上昇移動されたウェーハとの反応を起こさせるとともに、前記内管の下部より前記ウェーハの方向に流された不活性ガスにより前記反応ガスの内管内への流入を実質的に阻止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM