半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-161500
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329417
出願日： 2006年06月09日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】使用するアクティブマトリクス方式の表示器に使用される有機半導体装置においてゲート駆動信号を伝搬するゲート線(ゲート信号線)の抵抗値を下げることを可能とした半導体装置、電気光学置及び電子機器を提供する。【解決手段】基板上(101)に形成された有機半導体トランジスタと、有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極(105)と接続されるデータ線(107)と、データ線と交差するように配置されて有機半導体トランジスタのゲート電極(110)に接続されるゲート線と、を備え、ゲート線は、ゲート電極(110a)、ゲート電極に信号を伝搬する第1のゲート線(102)、及びデータ線と層間絶縁層(109)を介して交差する第2のゲート線(110b)を含み、上記ゲート電極、上記第1及び第2のゲート線は互いに直列に接続され、第1のゲート線(102)の導電率がゲート電極(110a)及び第2のゲート線(110b)の導電率よりも高い、ことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された有機半導体トランジスタと、前記有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極と接続されるデータ線と、前記データ線と交差するように配置されて前記有機半導体トランジスタのゲート電極に接続されるゲート線と、を備え、前記ゲート線は、前記ゲート電極、当該ゲート電極に信号を伝搬する第1のゲート線、及び前記データ線と層間絶縁層を介して交差する第2のゲート線を含み、前記ゲート電極、前記第1及び第2のゲート線は互いに直列に接続され、前記第1のゲート線の導電率が前記ゲート電極及び前記第2のゲート線の導電率よりも高い、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 , H01L 21/336 , H01L 21/288 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 51/05

FI (8件)：

H01L29/78 617J , G02F1/1368 , H01L29/78 612C , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V , H01L21/288 Z , H01L21/88 A , H01L29/28 100A

Fターム (83件)：

2H092JA25 , 2H092JA38 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092KA09 , 2H092KA20 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F033GG03 , 5F033HH00 , 5F033JJ00 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033MM29 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR21 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX08 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE36 , 5F110EE37 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG30 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-025446 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (2件)

回路の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-506090 出願人：セイコーエプソン株式会社
電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-025446 出願人：セイコーエプソン株式会社

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