特許
J-GLOBAL ID：200903027229534972

回路の製造方法

発明者：
川瀬 健夫

川瀬 健夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-506090
公開番号（公開出願番号）：特表2005-531134
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】回路、特に薄膜トランジスタ回路を効率良く好適に製造する。【解決手段】薄膜回路はリソグラフィ技術とインクジェット技術とを組み合わせて用いることによって製造される。 極めて高い解像度の得られるリソグラフィ技術は、トランジスタのソースおよびドレイン電極、配線部、および回路電極の形成に用いられ、導電性の高い材料の利用を可能とする。半導体領域、絶縁体領域、ゲート電極および他の配線部、並びに、配線の交差部は特に、インクジェット印刷技術を用いてパターニングされる。 インクジェット印刷技術においては、種々の材料をリソグラフィ工程を複数回行う場合や、特にプラスチック基板を用いる場合の、位置合わせに対する懸念は大幅に軽減される。
請求項（抜粋）：
リソグラフィ技術を用いて、導電材料の第一の領域が導電材料製別領域の間に配置されてなるパターン層を基板上に形成する工程と、 インクジェット印刷技術を用いて、少なくとも導電材料の前記第一の領域を覆うように絶縁材料を選択的に堆積して絶縁材料の局所領域を形成し、半導体材料または導電材料の領域を導電材料の前記第一の領域を絶縁状態で覆うとともに導電材料製前記別領域の間に延在するように形成することを可能とする工程と、 を有する回路の製造方法。
IPC (8件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L29/78 618A ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616T ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/88 B
Fターム (93件)：
2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA45 ,  2H092JB13 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB56 ,  2H092JB61 ,  2H092MA01 ,  2H092NA27 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH13 ,  5C094AA36 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F033GG03 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033MM05 ,  5F033MM23 ,  5F033NN21 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX02 ,  5F033XX27 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5G435AA06 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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