特許
J-GLOBAL ID：200903029517128698

電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器

発明者：
川瀬 健夫

川瀬 健夫 について

, 
守谷 壮一

守谷 壮一 について

, 
原田 光明

原田 光明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-025446
公開番号（公開出願番号）：特開2005-215616
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 有機トランジスタに接続される配線の高精細化を実現すると共に、インクジェット法を用いることにより安価、低温、低エネルギで電気光学装置用基板を製造する製造方法、及び当該製造方法によって製造された電気光学装置用基板を提供する。また、当該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及び当該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】 基板20上に、スイッチング素子10aと、スイッチング素子10aに接続される接続配線とを具備する電気光学装置用基板10の製造方法であって、スイッチング素子10aと第1の接続配線30c、34b、34c、35を同時に光照射によるパターニングによって形成する工程と、第2の接続配線34、34aを付加的パターニング法によって形成する工程とを有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、スイッチング素子と、当該スイッチング素子に接続される接続配線とを具備する電気光学装置用基板の製造方法であって、 前記スイッチング素子と第1の前記接続配線を同時に光照射によるパターニングによって形成する工程と、 第2の前記接続配線を付加的パターニング法によって形成する工程と、 を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
IPC (9件)：
G09F9/00 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (10件)：
G09F9/00 338 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/28 E ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
Fターム (76件)：
4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD94 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA04 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094HA02 ,  5C094HA05 ,  5C094HA06 ,  5C094HA08 ,  5F033GG03 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH38 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033UU01 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB11 ,  5G435KK05 ,  5G435KK07 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 有機薄膜トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215748   出願人：旭化成工業株式会社
  • 溶液処理
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-547679   出願人：プラスティックロジックリミテッド, セイコーエプソン株式会社
  • 溶液処理された素子
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-547677   出願人：プラスティックロジックリミテッド
審査官引用 (1件)
  • 特開平4-324832

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