スライスドウエ-ハの基準面形成方法

発明者：
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：亀川義示
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191080
公開番号（公開出願番号）：特開2000-005982
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：

【要約】【課題】スライスドウエ-ハの表面に生じたうねり成分が研削の結果に影響を与えないよう上記スライスドウエ-ハの表面に平坦な基準面を形成する。【解決手段】スライスドウエ-ハ(1)の表面に溶融ワックスを塗布し、プレ-ト(8)に貼付ける。このプレ-ト(8)にウエ-ハ(1)を押圧した後、上記ウエ-ハ(1)を冷却手段(14)で冷却する。上記加熱溶融したワックス層(3)は固化し、プレ-ト(8)からウエ-ハ(1)が剥れ、平坦な基準面(15)を有するスライスドウエ-ハ(1)が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体インゴットを切断したスライスドウエ-ハの表面に溶融したワックスを塗布する工程と、前記スライドウエ-ハの溶融ワックス塗布面をプレ-トの貼付面に押圧する工程と、上記溶融ワックスを固化させて平面を形成する工程と、ワックスが塗布されたスライスドウエ-ハとプレ-トとを分離する工程を含むことを特徴とするスライスドウエ-ハの基準面形成方法。

IPC (4件)：

B24B 1/00 , B24B 37/04 , H01L 21/02 , H01L 21/304 611

FI (4件)：

B24B 1/00 A , B24B 37/04 J , H01L 21/02 B , H01L 21/304 611 A

Fターム (10件)：

3C049AB04 , 3C049CA01 , 3C049CB01 , 3C049CB02 , 3C049CB04 , 3C058AB04 , 3C058CB01 , 3C058CB02 , 3C058CB04 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-221970
半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-274760 出願人：東芝セラミックス株式会社
特開昭63-248133

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