特許

J-GLOBAL ID：200903028586057291

TFT型液晶表示装置

発明者： 佐々木 順彦
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238509
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066632
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 層間絶縁膜の膜厚を厚くしても、層間絶縁膜上に形成した透明画素電極とドレイン電極とを、コンタクトホールを介して断線することなく安定して接続できるTFT型液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 TFT型液晶表示装置は、液晶層11を挟んだ一対の基板1、12の一方の基板1上に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3及び半導体層4が順に重ねて形成され。半導体層4のチャネル領域の両側にソース電極5及びドレイン電極6が配置され、TFTが形成されている。TFT上に層間絶縁膜7が形成され、この上に透明画素電極8が形成されている。透明画素電極8とドレイン電極6とが、層間絶縁膜7に形成されたコンタクトホール9を介して接続され、コンタクトホール9が、ドレイン電極6から透明画素電極8に向けて拡径に形成され、開口内縁部が0.5乃至2.0μmの曲率を有するように形成されている。

請求項（抜粋）：

液晶層を挟んだ一対の基板の一方の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層が順に重ねて形成されるとともに、該半導体層のチャネル領域の両側にソース電極及びドレイン電極が配置されたTFTが形成され、該TFT上に有機物からなる層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に透明画素電極が形成され、該透明画素電極と前記ドレイン電極とが前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続され、該コンタクトホールが前記ドレイン電極から透明画素電極に向けて拡径に形成されてなるとともに、開口内縁部が0.5乃至2.0μmの曲率を有することを特徴とするTFT型液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/1365 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 616 S

Fターム (21件)：

2H090HA04 ,  2H090HB07Y ,  2H090HC05 ,  2H090HD05 ,  2H090LA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092KB25 ,  2H092MA10 ,  2H092MA22 ,  2H092MA37 ,  2H092NA07 ,  2H092NA15 ,  2H092PA08 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-354319   出願人：株式会社東芝
• 液晶表示素子用ガラス基板の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-184407   出願人：ソニー株式会社