半導体装置及びDC-DCコンバータ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-028910
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260271
出願日： 2009年02月10日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】ターンオフ時のソースドレイン電圧の跳ね上がりを抑えることができる半導体装置及びこの半導体装置を用いたDC-DCコンバータを提供する。【解決手段】半導体装置1において、MOSFET領域AMOSFETにトレンチ16を形成し、その内部にトレンチゲート電極18を埋設する。また、キャパシタ領域ACapacitorにトレンチ26を形成し、その内部にトレンチソース電極28を埋設する。トレンチソース電極28の形状はストライプ状であり、その長手方向の一部分を介して、ソース電極21に接続されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の上層部分の一部に設けられた第2導電型の半導体層と、前記半導体層の上層部分の一部に設けられた第1導電型の半導体領域と、前記半導体領域の上面側から形成され、前記半導体領域及び前記半導体層を貫通して前記半導体基板に到達した第1のトレンチと、前記半導体基板における前記半導体層の外部に上面側から形成された第2のトレンチと、前記第1のトレンチの内面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたトレンチゲート電極と、前記第2のトレンチの内面上に形成された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に設けられたトレンチソース電極と、前記半導体基板の下面上に設けられたドレイン電極と、前記半導体層の上面上に設けられたソース電極と、を備え、前記トレンチソース電極は前記半導体基板の上面に対して平行な方向に延びており、前記平行な方向における一部分を介して前記ソース電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 27/04 , H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417 , H01L 21/822 , H01L 21/28 , H02M 3/155 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088

FI (15件)：

H01L29/78 656Z , H01L29/78 652M , H01L29/78 653A , H01L29/78 657G , H01L29/78 652K , H01L29/58 G , H01L29/50 M , H01L27/04 C , H01L21/28 301A , H01L21/28 301R , H02M3/155 Y , H01L29/78 658F , H01L29/78 657Z , H01L27/06 102A , H01L27/08 102E

Fターム (44件)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD91 , 4M104EE09 , 4M104FF04 , 4M104FF11 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038DF01 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA06 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048BE09 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048CB07 , 5H730AA02 , 5H730AA10 , 5H730BB13 , 5H730DD04 , 5H730EE13 , 5H730ZZ15

引用特許：

審査官引用 (3件)

集積型FET及びショットキー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-227165 出願人：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-366329 出願人：株式会社東芝
半導体装置、DC/DCコンバータおよび電源システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-203094 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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